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IRF7807D2
2000
1600
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
6
I D = 7.0A
VDS = 16V
4
1200
800
Ciss
Coss
2
400
Crss
0
0
1
10
100
0
4
8
12
2.0
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
I D = 7.0A
VGS = 4.5V
T J = 25°C
1.5
T J = 150°C
1.0
VDS = 10V
0.5
10
380μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
2.5
3.0
3.5
4
T J, Junction Temperature (°C )
Fig 7. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
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